丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：989.21 Kbytes 页数：3 Pages

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台舟电子

丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：995.86 Kbytes 页数：3 Pages

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台舟电子

丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：994.62 Kbytes 页数：3 Pages

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丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos=200v + p= 60A + Reson $0650 @Ves=10V

文件：998.02 Kbytes 页数：3 Pages

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丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；‘N-Channel MOSFET 200V, 6.04, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：995.96 Kbytes 页数：3 Pages

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丝印：TPM2007NK3；Package：TO-252-3L；200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features Vos = 200V,lp =5.5A Ros(on)

文件：2.08463 Mbytes 页数：5 Pages

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丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：994.03 Kbytes 页数：3 Pages

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丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：992.24 Kbytes 页数：3 Pages

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丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65

Application Load/Power SWwitching Interfacing Switching Battery Management for Ultra Small Portable Electronics Logic Level Shift

文件：1.03454 Mbytes 页数：3 Pages

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丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

文件：993.24 Kbytes 页数：3 Pages

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