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AOZ5616QI	文件：2.28076 Mbytes Page：17 Pages	High-Current,High-PerformanceDrMOSPowerModule GeneralDescription TheAOZ5616QIisahighefficiencysynchronousbuck powerstagemoduleconsistingoftwoasymmetrical MOSFETsandanintegrateddriver.TheMOSFETsare individuallyoptimizedforoperationinthesynchronous buckconfiguration.TheHigh-SideMOSFETisoptimized toachieve	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BCP5616	文件：150.69 Kbytes Page：9 Pages	LowpowerNPNTransistor SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPMEDIUMVOLTAGETRANSISTORS ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPESAREBCP52-16ANDBCP53-16RESPECTIVELY APPLICATIONS ■MEDIUMVOLTAGELOADSWITCHTRANSISTORS ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616QTA	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616QTC	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features BVCEO>80V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent 2WPowerDissipation LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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产品属性

产品编号：
TLV5616IP
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
卷带（TR）
位数：
12
数模转换器数：
1
建立时间：
20µs
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
SPI
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
2.7V ~ 3.3V，5V
电压 - 供电，数字：
2.7V ~ 3.3V，5V
INL/DNL (LSB)：
±1.9，±0.5
架构：
电阻串 DAC
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
安装类型：
通孔
描述：
IC DAC 12BIT V-OUT 8DIP

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更多TLV5616IP供应商更新时间2025-5-25 14:14:00

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