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BCP5616	文件：150.69 Kbytes Page：9 Pages	Low power NPN Transistor SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP MEDIUM VOLTAGE TRANSISTORS ■ SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ TAPE AND REEL PACKING ■ THE PNP COMPLEMENTARY TYPES ARE BCP52-16 AND BCP53-16 RESPECTIVELY APPLICATIONS ■ MEDIUM VOLTAGE LOAD SWITCH TRANSISTORS ■ 文件：150.69 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCP5616QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BCP5616；Package：SOT223；NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V & 80V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：395.23 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTC	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BCP5616；Package：SOT223；NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V & 80V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：395.23 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TQTA	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：556.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TQTC	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：556.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 80V, 1A, SOT223 IC = 1A Continuous Collector Current\n\t\n\t\tLow Saturation Voltage VCE(sat) < 500mV @ 0.5A\n\t\n\t\tGain groups 10 and 16\n\t\n\t\tEpitaxial Planar Die Construction\n\t\n\t\tComplementary PNP types: BCP51, 52 and 53\n\t\n\t\tLead-Free, RoHS Compliant\n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Dev	Diodes 美台半导体	Diodes
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V & 80V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：395.23 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：380.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTA	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：380.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：380.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
BCP5616Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.15 A
hFE(Min 2)：
25
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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更多BCP5616供应商更新时间2025-11-30 14:00:00

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