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BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features  BVCEO > 80V  IC = 1A High Continuous Collector Current  ICM = 2A Peak Pulse Current  2W Power Dissipation  Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：557.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TC	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616TQ	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：556.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616Q_15	文件：457.87 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 文件：457.87 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616H6327XTSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	Infineon 英飞凌	Infineon
BCP5616Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	transistor-bjt-master-table	Diodes 美台半导体	Diodes
BCP5616H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-4	Infineon 英飞凌	Infineon
BCP5616QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
BCP5616Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.15 A
hFE(Min 2)：
25
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

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