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BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：380.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V & 80V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：395.23 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BCP5616；Package：SOT223；NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V & 80V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：395.23 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTA	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：380.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：380.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616QTC	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BCP5616；Package：SOT223；NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V & 80V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：395.23 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616Q_15	文件：457.87 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 文件：457.87 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCP5616Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	transistor-bjt-master-table	Diodes 美台半导体	Diodes
BCP5616QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3	PAM 龙鼎微	PAM
BCP5616QTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
NPN
IC：
1 A
ICM：
2 A
PD：
2 W
hFE：
100 Min
hFE (@ IC)：
0.15 A
hFE (Min 2)：
25
hFE (@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT) Max：
500 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
.5/50
VCE (SAT) (Max.2)：
N/A mV
fT：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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