BCP5616Q中文资料transistor-bjt-master-table数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
BCP5616Q |
参数属性 | BCP5616Q 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
功能描述 | transistor-bjt-master-table |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
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BCP5616Q规格书详情
应用 Application
Medium Power Switching or Amplification Applications
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\t\tAF Driver and Output Stages
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
BCP5616Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCP5616Q晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BCP5616Q
- 生产厂家
:Diodes
- Automotive Compliant PPAP
:Yes
- Product Type
:NPN
- IC
:1 A
- ICM
:2 A
- PD
:2 W
- hFE
:100 Min
- hFE (@ IC)
:0.15 A
- hFE (Min 2)
:25
- hFE (@ IC2)
:0.5 A
- VCE (SAT) Max
:500 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
:.5/50
- VCE (SAT) (Max.2)
:N/A mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
:-
- fT
:150 MHz
- RCE(SAT)
:N/A mΩ
- Packages
:SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT223 |
7350 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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DIODES/美台 |
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SOT223 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223-3 |
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DIODES/美台 |
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SOT223 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT-223-3 |
9866 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT223 |
120000 |
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DIODES |
22+ |
SOT223 |
120000 |
全新原装 |
询价 | ||
DIODES INCORPORATED |
23+ |
BCP5616QTA |
5864 |
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