BCP56-16数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BCP56-16 |
参数属性 | BCP56-16 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223 |
功能描述 | 1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 8:47:00 |
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BCP56-16规格书详情
描述 Description
This 1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.PNP Complement:BCP53Different hFE windows available:BCP56: 40 - 250BCP56-10: 63 - 160BCP56-16: 100 - 250
特性 Features
• Collector current, IC =of 1.0 Amp
• High current capable
• The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant
应用 Application
• General
• General
技术参数
- 产品编号:
BCP56-16
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223
- 描述:
TRANS NPN 80V 1A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2023+ |
SOT-223 |
150000 |
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NEXPERIA安世 |
22+23+ |
SOT-223 |
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5000 |
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SOT-223 |
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SOT-223 |
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