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BCP56-16中文资料1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BCP56-16

参数属性

BCP56-16 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

功能描述

1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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BCP56-16规格书详情

描述 Description

This 1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.PNP Complement:BCP53Different hFE windows available:BCP56: 40 - 250BCP56-10: 63 - 160BCP56-16: 100 - 250

特性 Features

• Collector current, IC =of 1.0 Amp
• High current capable
• The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

应用 Application

• General
• General

技术参数

  • 产品编号:

    BCP56-16

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT223

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