BCP5610Q中文资料NPN, 80V, 1A, SOT223数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
BCP5610Q |
| 参数属性 | BCP5610Q 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3 |
| 功能描述 | NPN, 80V, 1A, SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 10:18:00 |
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BCP5610Q规格书详情
特性 Features
•BVCEO > 80V
•IC = 1A High Continuous Collector Current
•ICM = 2A Peak Pulse Current
•2W Power Dissipation
•Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 500mV @ 0.5A
简介
BCP5610Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BCP5610Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BCP5610Q
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC (A)
：1 A
- ICM (A)
：2 A
- PD (W)
：2 W
- hFE (min)
：63 Min
- hFE(@ IC)
：0.15 A
- hFE(Min 2)
：25
- hFE(@ IC2)
：0.5 A
- VCE (SAT)Max (mV)
：500 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.5/50
- VCE (SAT)(Max.2)
：N/A mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)
：-
- fT (MHz)
：150 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT223 |
33000 |
原装不贵 就找美睿 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+24 |
SOT-223 |
58436 |
100%原装现货支持实单可开13点税 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
只做原装 可免费提供样品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
恩XP |
17+ |
SOT223 |
97900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT223 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
SOT223 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Diodes Incorporated |
25+ |
TO-261-4 TO-261AA |
9350 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
