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BCP56数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BCP56

参数属性

BCP56 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4

功能描述

NPN 双极晶体管
TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:39:00

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BCP56规格书详情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications.

特性 Features

• High Current: 1.0 Amp
• The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die
• Available in 12 mm Tape and Reel Use BCP56T1 to order the 7 inch/1000 unit reel Use BCP56T3 to order the 13 inch/4000 unit reel
• PNP Complement is BCP53T1
• Device MarkingBCP56T1 = BHBCP56-10T1 = BH-10BCP56-16T1 = BH-16
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

简介

BCP56属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCP56晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCP56

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :160

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :1.5

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4D

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+/25+
2000
原装正品现货库存价优
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