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BCP5616QTA	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
5616	文件：87.16 Kbytes Page：6 Pages	2-FUNCTION,4-DIGITLCDAUTOMOTIVECLOCK-PROGRAMMABLE FEATURES ■DigitalTuningofCrystalFrequency ■PROMforStoringFrequencyCorrectionInformation ■12or24HourTimekeepingOption ■FlashingColon ■TwoSwitchesControlAllSettingFunctions ■HighNoiseImmunity ■InternalPower-UpResetCircuitry ■InternalVoltageRegulation	Allegro Allegro MicroSystems
5616-RC	文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ALC5616	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC5616-CG	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
ALC5616-CGT	文件：1.55994 Mbytes Page：104 Pages	Ultra-LowPowerAudioCODECforMobileDevices	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司
AOZ5616QI	文件：2.28076 Mbytes Page：17 Pages	High-Current,High-PerformanceDrMOSPowerModule GeneralDescription TheAOZ5616QIisahighefficiencysynchronousbuck powerstagemoduleconsistingoftwoasymmetrical MOSFETsandanintegrateddriver.TheMOSFETsare individuallyoptimizedforoperationinthesynchronous buckconfiguration.TheHigh-SideMOSFETisoptimized toachieve	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
BCP5616	文件：150.69 Kbytes Page：9 Pages	LowpowerNPNTransistor SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPMEDIUMVOLTAGETRANSISTORS ■SOT-223PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPESAREBCP52-16ANDBCP53-16RESPECTIVELY APPLICATIONS ■MEDIUMVOLTAGELOADSWITCHTRANSISTORS ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BCP5616Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616Q	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTC	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616QTC	文件：380.76 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features BVCEO>80V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent 2WPowerDissipation LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TC	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQ	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQTA	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BCP5616TQTC	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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产品属性

产品编号：
BCP5616QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市尚品诚源电子有限公司	BCP5616QTA	DIODES	21+	N/A	271000	全新原现	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	BCP5616QTA	DIODES	22+	SOT223	3000	价格优势,支持实单	询价
深圳市正纳电子有限公司	BCP5616QTA	DIODES/美台	22+	SOT223	5000	原装正品可支持验货,欢迎咨询	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BCP5616QTA	Diodes Incorporated	23+	TO-261-4,TO-261AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多BCP5616QTA供应商更新时间2024-4-28 14:00:00

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