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BCP69	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	丝印：BCP69；Package：SC-73；20 V, 2 A PNP medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.11315 Mbytes 页数：24 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP69	文件：136.39 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain) PNP Silicon AF Transistor ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary type: BCP68 (NPN) 文件：136.39 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP69	文件：1.457 Mbytes Page：3 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current and Low Voltage NPN Complement:BCP68 APPLICATIONS General Purpose Switching and Amplification Power Applications Such as Audio Output Stages 文件：1.457 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BCP69	文件：396.8 Kbytes Page：2 Pages	High current, Three current gain selections Features ● High current. ● Three current gain selections. ● 1.4 W total power dissipaton. 文件：396.8 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BCP69	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors Features and benefits  High current  Two current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：2.12979 Mbytes 页数：23 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP69	文件：840.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Transistor Description The BCP69 is designed for guse in low voltage and medium power applications. Features * VCEO: -20V * IC : 1A 文件：840.1 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCP69	文件：208.9 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor PNP Silicon Epitaxial Transistor P/b Lead(Pb)-Free 文件：208.9 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
BCP69	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69	文件：266.58 Kbytes Page：24 Pages	20 V, 2 A PNP medium power transistors General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：266.58 Kbytes 页数：24 Pages	恩XP	恩XP
BCP69	文件：1.01706 Mbytes Page：3 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) EATURES ● High Current and Low Voltage ● NPN Complement:BCP68 APPLICATIONS ● General Purpose Switching and Amplification ● Power Applications Such as Audio Output Stages 文件：1.01706 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

晶体管资料

型号：
BCP69
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP69
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4

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