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BCP69-16	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	丝印：BCP69/16；Package：SC-73；20 V, 2 A PNP medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.11315 Mbytes 页数：24 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP69-16/DG	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16/IN	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16-AA3-B-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69-16-AA3-C-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69-16-AA3-E-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69-16-Q	文件：261.45 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BCP69/16；Package：SOT223；20 V, 2 A PNP medium power transistors 1. General description PNP medium power transistors in a SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in au 文件：261.45 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP69-16SLASHDG	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16SLASHIN	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-25	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP

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晶体管资料

型号：
BCP69
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP69
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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