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BCP69T1	文件：71.98 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT This PNP Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. • High Curre 文件：71.98 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BCP69T1G	文件：101.11 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor This PNP Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current: IC = −1.0 A • The SOT−223 Package can be soldered using wave 文件：101.11 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP69-XX-AA3-F-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69_08	文件：517.909 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistor 文件：517.909 Kbytes 页数：6 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP69_09	文件：98.39 Kbytes Page：3 Pages	PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：98.39 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69_15	文件：152.06 Kbytes Page：3 Pages	PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：152.06 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69_15	文件：266.58 Kbytes Page：24 Pages	20 V, 2 A PNP medium power transistors 文件：266.58 Kbytes 页数：24 Pages	PHI PHI	PHI
BCP69_15	文件：833.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：833.62 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCP69_15	文件：806.06 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistor 文件：806.06 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCP69-16	文件：460.76 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：460.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC

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晶体管资料

型号：
BCP69
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP69
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4

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