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BCP69	文件：45.28 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistor DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT223 plastic package. NPN complement: BCP68. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Power applications such as audio output stages. 文件：45.28 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCP69	文件：43.8 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon AF Transistor PNP Silicon AF Transistor ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary type: BCP68 (NPN) 文件：43.8 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP69	文件：91.65 Kbytes Page：3 Pages	PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * High current (max. 1 A) * Low voltage (max. 20 V). * Complementary to UTC BCP68 APPLICATIONS * General purpose switching and amplification * Power applications such as audio output stages. 文件：91.65 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69	文件：43.74 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * For AF drivers and output stages * High collector current and Low V CE(sat) COMPLEMENTARY TYPE BCP68 PARTMARKING DETAIL BCP69 BCP69-25 文件：43.74 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BCP69	文件：119.88 Kbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A. • Sourced from Process 77. 文件：119.88 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BCP69	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistor ■ Features ● High current (max. 1 A) ● Low voltage (max. 20 V) ● Complements to BCP68 文件：39.9 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCP69	文件：833.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：833.62 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCP69	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILD Small Signal Transistors 文件：628.43 Kbytes 页数：1 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BCP69	文件：98.39 Kbytes Page：3 Pages	PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：98.39 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN medium power transistor 20 V, 1 A 文件：173.48 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP

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晶体管资料

型号：
BCP69
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP69
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4

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