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BCP69分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BCP69

参数属性

BCP69 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4

功能描述

PNP Silicon AF Transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

43.8 Kbytes

页面数量

4 页

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

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数据手册

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更新时间

2026-10-2 16:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BCP69

  • 别名:

    BCP69三极管、BCP69晶体管、BCP69晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    25V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    1.5

BCP69规格书详情

PNP Silicon AF Transistor

● For general AF applications

● High collector current

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary type: BCP68 (NPN)

产品属性

  • 产品编号:

    BCP69

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 500mA,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-4

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 1.5A SOT223-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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