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BCP5616T	文件：557.35 Kbytes Page：7 Pages	80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features BVCEO>80V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent 2WPowerDissipation LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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BCP5616TQTA	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	Marking：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCP5616TQTC	文件：556.97 Kbytes Page：7 Pages	Marking：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Features •BVCEO>80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCP5616TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
BCP5616TQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
BCP5616TQTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

详细参数

型号：
BCP5616T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Medium Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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