BCP5616TQ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BCP5616TQ |
| 参数属性 | BCP5616TQ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
| 功能描述 | 80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 18:18:00 |
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BCP5616TQ规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.
特性 Features
•BVCEO > 80V
•IC = 1A High Continuous Collector Current
•ICM = 2A Peak Pulse Current
•2W Power Dissipation
•Low Saturation Voltage VCE(SAT) <500mV @ 0.5A
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
•Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device
•The BCP5616TQ is suitable for automotive applicationsrequiring specific change control; this part is AEC-Q101qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949certified facilities.https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
应用 Application
• Medium Power Switching or Amplification Applications
• AF Driver and Output Stages
技术参数
- 制造商编号
：BCP5616TQ
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：1 A
- ICM
：2 A
- PD
：2.5 W
- hFE
：0.15 Min
- hFE (@ IC)
：0.15 A
- hFE (Min 2)
：40
- hFE (@ IC2)
：0.5 A
- VCE (SAT) Max
：500 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.5/50
- VCE (SAT) (Max.2)
：N/A mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：N/A
- fT
：150 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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SOT-223-3 |
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NEXPERIA/安世 |
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Nexperia/安世 |
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