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BCP68	文件：45.14 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistor DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:BCP69. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationunderhigh currentconditions.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BCP68	文件：43.47 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES SuitableforAFdriversandoutputstages HighcollectorcurrentandLowVCE(sat) COMPLEMENTARYTYPE-BCP69 PARTMARKINGDETAIL-BCP68 BCP68-25	Zetex Zetex Semiconductors
BCP68	文件：136.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain) NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplication ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd
BCP68	文件：35.76 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposemediumpoweramplifiers. •Sourcedfromprocess37.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BCP68	文件：43.83 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Transistor NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BCP68	文件：91.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN MEDIUM POWER POWER NPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Highcurrent(max.1A) Lowvoltage(max.20V). ComplementarytoUTCBCP69 APPLICATIONS Generalpurposeswitchingandamplificationunderhighcurrent conditions.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
BCP68	文件：40.42 Kbytes Page：2 Pages	NPN Medium Power Transistor ■Features ●Highcurrent(max.1A) ●Lowvoltage(max.20V) ●ComplementstoBCP69	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BCP68	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN medium power transistor; 20 V, 1 A Generaldescription NPNmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BCP68	文件：1.37715 Mbytes Page：3 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Complementarytype:BCP69(PNP)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
BCP68	文件：925.11 Kbytes Page：3 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BCP68	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BCP68	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20 V, 2 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BCP68	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN medium power transistor 20 V, 1 A	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BCP68	文件：149.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
BCP68	文件：811.09 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BCP68	文件：1.18878 Mbytes Page：23 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BCP68	文件：151.26 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
BCP68	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 1A SOT223-4	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BCP68-10	文件：136.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain) NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplication ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd
BCP68-10	文件：43.83 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Transistor NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP69(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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晶体管资料

型号：
BCP68
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
20
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP68
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 20V 1A SOT223-4

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更多BCP68供应商更新时间2024-4-26 17:20:00

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