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BCP68-25-Q	文件：244.09 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP68/25；Package：SOT223；20 V, 2 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Two current gain selections • High power dissipation capability • Qualified accordin 文件：244.09 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP68-Q_SER	文件：244.09 Kbytes Page：12 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Two current gain selections • High power dissipation capability • Qualified accordin 文件：244.09 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP68T1	文件：149.59 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT Npn Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. • High Current: IC = 1.0 Amp • The SOT-223 Package ca 文件：149.59 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BCP68T1	文件：110.27 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. • High Current: IC = 1.0 Amp • The SOT-223 Package ca 文件：110.27 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1G	文件：106.14 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current • The SOT−223 Package Can Be 文件：106.14 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1G	文件：106.55 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current • The SOT−223 Package Can Be 文件：106.55 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68_09	文件：151.26 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：151.26 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP68_12	文件：149.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：149.51 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP68_15	文件：182 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：182 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP68_15	文件：1.20026 Mbytes Page：23 Pages	20 V, 2 A NPN medium power transistors 文件：1.20026 Mbytes 页数：23 Pages	PHI PHI	PHI

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晶体管资料

型号：
BCP68
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
20
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP68
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 20V 1A SOT223-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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