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BCP68L-25-AA3-R	文件：149.51 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：149.51 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP68L-XX-AA3-R	文件：151.26 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：151.26 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP68T	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN medium power transistor 20 V, 1 A 文件：173.48 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BCP68T1G	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：109.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1G_14	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：109.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T3G	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：109.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68-XX-AA3-R	文件：151.26 Kbytes Page：3 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：151.26 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP68	文件：300 bytes Page：1 Pages	BCP68: (Legacy Fairchild) NPN Bipolar Transistor The NPN Bipolar Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. High Current: IC = 1.0 Amp\nThe SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow.\nSOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibili;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Low Sat Transistor	Diodes 美台半导体	Diodes
BCP68	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain)	Infineon 英飞凌	Infineon

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晶体管资料

型号：
BCP68
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
H-99
vtest：
20
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1.5

产品属性

产品编号：
BCP68
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-4
描述：
TRANS NPN 20V 1A SOT223-4

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