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BCP68T	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN medium power transistor 20 V, 1 A 文件：173.48 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BCP68T1	文件：110.27 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. • High Current: IC = 1.0 Amp • The SOT-223 Package ca 文件：110.27 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1	文件：149.59 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT Npn Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. • High Current: IC = 1.0 Amp • The SOT-223 Package ca 文件：149.59 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BCP68T1G	文件：106.14 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current • The SOT−223 Package Can Be 文件：106.14 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1G	文件：106.55 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current • The SOT−223 Package Can Be 文件：106.55 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1G	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：109.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1G_14	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：109.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T3G	文件：109.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：109.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 双极晶体管 The NPN Bipolar Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount applications. • High Current: IC = 1.0 Amp\n• The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow.\n• SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the pos;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCP68T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT	恩XP 恩智浦	恩XP

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
20
VCBO (V)：
25
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
85
hFE Max：
375
PTM Max (W)：
1.5
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4D

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更多BCP68T供应商更新时间2025-10-4 11:03:00

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