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TIP146T | Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000@ VCE = - 4V, IC = - 5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140T/141T/142T 文件：52.16 Kbytes 页数：4 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
TIP146T | POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. 10 AMPERE DARLINGTIOON COM:EMEMTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 - 100 VOLTS 80 WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T -->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T ---> PNP 文件：204.61 Kbytes 页数：4 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | |
TIP146T | Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors - High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) - Collector-Emitter Sustaining Voltage - Low Collector-Emitter Saturation Voltage - Industrial Use - Complementary to TIP140/141/142 文件：536.03 Kbytes 页数：5 Pages | SEMIHOW | SEMIHOW | |
TIP146T | Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors 文件：536.03 Kbytes 页数：5 Pages | TAI-SAW 嘉硕科技 | TAI-SAW | |
TIP146T | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：251.91 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
TIP146T | Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：79.76 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Features • Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140/141/142 文件：175.9 Kbytes 页数：5 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
TIP146T | PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors\n\n• High DC Current Gain : hFE= 1000@ VCE = - 4V, IC= - 5A (Min.)\n• Industrial Use\n• Complement to TIP140T/141T/142T | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
TIP146T | BJT | SemiHow | SemiHow | |
Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDT62A,BDT62B,BDT62C,BDW94B,BDW94C,BDX34A...E,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
125
详细参数
- 型号：
TIP146T
- 功能描述：
达林顿晶体管
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流：
0.5 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-18
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
05+ |
原厂原装 |
5102 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
1000 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
Fairchild |
25+ |
600 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | |||
ADI |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
96908 |
询价 | |||
FAIRC |
24+ |
TO-220 |
16800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
询价 |
