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TIM5964-4SL-422	文件：388.56 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=36.5dBmat5.85GHzto6.75GHz ･HIGHGAIN G1dB=8.0dB(Min.)at5.85GHzto6.75GHz ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=25.5dBm SingleCarrierLevel.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
EIC5964-4	文件：162.06 Kbytes Page：4 Pages	5.90-6.40GHz4-WattInternallyMatchedPowerFET	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
EIM5964-4	文件：104.73 Kbytes Page：3 Pages	5.9-6.4GHzMulti-StagePowerAmplifier	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
FLM5964-4F	文件：251.13 Kbytes Page：4 Pages	C-BandInternallyMatchedFET [Endyna] DESCRIPTION TheFLM5964-4FisapowerGaAsFETthatisinternallymatchedforstandardcommunicationbandstoprovideoptimumpowerandgainina50ohmsystem. Eudyna’sstringentQualityAssuranceProgramassuresthehighestreliabilityandconsistentperformance. FEATURES •HighOu	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NEZ5964-4B	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ5964-4BD	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ5964-4D	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ5964-4DD	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
TIM5964-4A	文件：144.54 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVEPOWERGAASFET	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM5964-4UL	文件：70.5 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM5964-4SL
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,6GHZ,23W - Trays

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更多TIM5964-4SL供应商更新时间2025-5-22 16:47:00

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