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TIM5964-60SL-422	文件：308.87 Kbytes Page：7 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 5.85GHz to 6.75GHz ･HIGH GAIN G1dB= 8.0dB at 5.85GHz to 6.75GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -45dBc at Pout= 36.5dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：308.87 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM7785-35SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA TO-59	TOSHIBA 东芝上传：深圳市赛芯源科技有限公司	TOSHIBA
TINY13A-SSUATTINY13A-SSU	文件：0 bytes Page：0 Pages	AT SOP8	AT 上传：深圳市三德芯源科技有限公司	AT
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TIP102	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST T0220-3	ST 上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司	ST

详细参数

型号：
TIM5964-60SL-422
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 215W - Trays

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