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TIM5964-60SL-422	文件：308.87 Kbytes Page：7 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat5.85GHzto6.75GHz ･HIGHGAIN G1dB=8.0dBat5.85GHzto6.75GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=36.5dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TIM5964-60SL-422

文件：308.87 Kbytes

Page：7 Pages

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat5.85GHzto6.75GHz ･HIGHGAIN G1dB=8.0dBat5.85GHzto6.75GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=36.5dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM5964-60SL-422
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 215W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒佳微电子有限公司	TIM5964-60SL-422	TOSHIBA/东芝	2021+		3000	十年专营原装现货,假一赔十	询价
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更多TIM5964-60SL-422供应商更新时间2025-5-24 9:37:00

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