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TIM6472-60SL	文件：328.46 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 6.4GHz to 7.2GHz ･HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.) = -42dBc at Pout= 36.5dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：328.46 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM7785-35SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-59	TOSHIBA 东芝上传：深圳市赛芯源科技有限公司	TOSHIBA
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更多TIM6472-60SL供应商更新时间2025-12-10 17:27:00