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TIM5964-60SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

TIM5964-60SL-422

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 5.85GHz to 6.75GHz ・HIGH GAIN G1dB= 8.0dB at 5.85GHz to 6.75GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -45dBc at Pout= 36.5dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:308.87 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM5964-60SL_08

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

文件:158.44 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM5964-60SL

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

Toshiba

东芝

详细参数

  • 型号:

    TIM5964-60SL

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 215W - Trays

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
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TOSHIBA
23+
高频管
450
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APT
24+
TO-59
60
价格优势
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TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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TOSHIBA
21+
标准封装
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TOSHIBA(东芝)
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NA/
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TOSHIBA
2308+
原厂原包
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十年专业专注 优势渠道商正品保证
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TOSHIBA/东芝
23+
NA
1200
全新原装现货,价格优势
询价
TIM5964-6UL
16
16
询价
TOSHIBA/东芝
23+
N/A
7560
原厂原装
询价
更多TIM5964-60SL供应商 更新时间2025-10-13 16:04:00