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TIM	文件：5.6373 Mbytes Page：78 Pages	Thermal performance for 45 W CPU	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
TIM0910-30L	文件：270.28 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat9.5GHzto10.5GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.5GHzto10.5GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=38dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1000NSM33-TS000	文件：188.47 Kbytes Page：9 Pages	SCALE-2 Plug-and-Play Drivers Features Plug-and-playsolution AllowsparallelconnectionofIGBTmodules For2-level,3-levelandmultileveltopologies Built-inisolatedDC/DCpowersupply(master) Fiber-opticlinks(master) Built-ininterfaceto1SP0635D2S1(C)(slave) Dutycycle0...100 DynamicAdvance	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
TIM1011-10L	文件：180.25 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=29.0dBm ■HIGHPOWER P1dB=40.5dBmat10.7GHzto11.7GHz ■HIGHGAIN G1dB=6.0dBat10.7GHzto11.7GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1011-15L	文件：482.86 Kbytes Page：4 Pages	P1dB=42.0dBm at 10.7GHz to 11.7GHz FEATURES •BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET •HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz •HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.7GHzto11.7GHz •･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=30.0dBm SingleCarrierLevel •HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1011-2L	文件：144.5 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWER P1dB=33.5dBmat10.7GHzto11.7GHz ■HIGHGAIN G1dB=7.5dBat10.7GHzto11.7GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHED ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1011-4L	文件：194.82 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWER P1dB=36.5dBmat10.7GHzto11.7GHz ■HIGHGAIN G1dB=7.5dBat10.7GHzto11.7GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1011-4UL	文件：281.16 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=36.5dBmat10.7GHzto11.7GHz ･HIGHGAIN G1dB=9.5dBat10.7GHzto11.7GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTOTION IM3=-45dBcatPout=24.0dBm SingleCarrierLevel ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1011-5L	文件：137.81 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWER P1dB=37.5dBmat10.7GHzto11.7GHz ■HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.7GHzto11.7GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHED ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1011-8L	文件：178.4 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET Theinformationcontainedhereinispresentedonlyasaguidefortheapplicationsofourproducts.NoresponsibilityisassumedbyTOSHIBAforanyinfringementsofpatentsorotherrightsofthethirdpartieswhichmayresultsfromitsuse,Nolicenseisgrantedbyimplicationorotherwiseunder	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 10GHZ,60W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIM供应商更新时间2025-5-3 9:00:00

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