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TIM1011-8UL	文件：281.57 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=39.5dBmat10.7GHzto11.7GHz ･HIGHGAIN G1dB=9.0dBat10.7GHzto11.7GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTOTION IM3=-45dBcatPout=27.0dBm SingleCarrierLevel ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1200ESM33	文件：188.36 Kbytes Page：9 Pages	SCALE-2 Plug-and-Play Drivers Features Plug-and-playsolution AllowsparallelconnectionofIGBTmodules For2-level,3-levelandmultileveltopologies Built-inisolatedDC/DCpowersupply(master) Fiber-opticlinks(master) Built-ininterfaceto1SP0635D2S1(C)(slave) Dutycycle0...100 DynamicAdvance	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
TIM1213-18L	文件：318.65 Kbytes Page：7 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=42.5dBmat12.7GHzto13.2GHz ･HIGHGAIN G1dB=6.0dBat12.7GHzto13.2GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-25dBcatPout=36.0dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1213-2L	文件：281.02 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=33.5dBmat12.7GHzto13.2GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.5dBat12.7GHzto13.2GHz ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1213-30L	文件：348.36 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat12.7GHzto13.2GHz ･HIGHGAIN G1dB=5.5dBat12.7GHzto13.2GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-28dBcatPout=33dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1213-8UL	文件：473.32 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=39.0dBmat12.7GHzto13.2GHz ･HIGHGAIN G1dB=8.0dBat12.7GHzto13.2GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=27.0dBm SingleCarrierLevel ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1314-15UL	文件：325.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.0dBat13.75GHzto14.5GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-42dBc(Min.)atPout=30dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1314-8UL	文件：481.96 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=39.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.0dBat13.75GHzto14.5GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=27.0dBm SingleCarrierLevel ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-10LA	文件：180.06 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=29.0dBm ■HIGHPOWERP1dB=40.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-10LA-252	文件：187.16 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz FEATURES HIGHPOWER P1dB=39.5dBmat13.75GHzto14.5GHz HIGHGAIN G1dB=5.5dBat13.75GHzto14.5GHz BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
TIM
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 10GHZ,60W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	TIM9904ALN	TI	16+	DIP18	8000	原装现货请来电咨询	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	TIM-4R	U-BLOX	13+	LGA	7258	原装分销	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	TIM5359-80SL	TOSHIBA	2020+		5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	TIM6472-60SL	TOSHIBA	23+	NA	9526		询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	TIM1011-12L	TOSHIBA/东芝	24+		58	现货供应	询价
深圳市湘达电子有限公司	TIM5867-15UL	TOSHIBA/东芝	20+	NA	1000	全新原装现货,一片也是批量价。	询价
深圳市富诚威科技有限公司	TIM9904ANL	TI	24+	SOP	2978	十年品牌!原装现货!!!	询价
万三科技(深圳)有限公司	TIM320-1131000	西克	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
深圳市星佑电子有限公司	TIM7785-8L	TOSHIBA	05+	原厂原装	4457	只做全新原装真实现货供应	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	TIM5867-15UL	TOSHIBA	23+	2-16G1B	1500	原装正品,假一罚十	询价

更多TIM供应商更新时间2025-7-14 10:05:00

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