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TIM1213-30L

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 12.7GHz to 13.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 5.5dB at 12.7GHz to 13.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -28dBc at Pout= 33dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:348.36 Kbytes 页数:8 Pages

TOSHIBA

东芝

TIM7785-35SL

TO-59

TINY13A-SSUATTINY13A-SSU

SOP8

AT

TIP102

TO-220

ON

TIP102

T0220-3

ST

详细参数

  • 型号:

    TIM1213-30L

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 13GHZ, 60W - Trays

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更多TIM1213-30L供应商 更新时间2025-12-4 10:47:00