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TIM1213-30L	文件：348.36 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat12.7GHzto13.2GHz ･HIGHGAIN G1dB=5.5dBat12.7GHzto13.2GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-28dBcatPout=33dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TIM1213-30L

文件：348.36 Kbytes

Page：8 Pages

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat12.7GHzto13.2GHz ･HIGHGAIN G1dB=5.5dBat12.7GHzto13.2GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-28dBcatPout=33dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM1213-30L
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 13GHZ, 60W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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