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TIM1414-15L	文件：483.2 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=30.0dBm SingleCarrierLevel ■HIGHPOWERP1dB=42.0dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-18L	文件：138.76 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ●HIGHPOWERP1dB=42.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ●HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ●BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ●HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ●LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-18L-252	文件：43.17 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HIGHGAIN G1dB=6.0dBat13.75GHzto14.5GHz ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-2-252	文件：251.67 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=33.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz FEATURES ●HIGHPOWERP1dB=33.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ●HIGHGAING1dB=6.0dBat13.75GHzto14.5GHz ●BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ●HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-2L	文件：163.68 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWERP1dB=33.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=6.5dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-30L	文件：49.16 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET MICROWAVEPOWERGaAsFET FEATURES HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat14.0GHzto14.5GHz HIGHGAIN G1dB=5.5dBat14.0GHzto14.5GHz LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-4-252	文件：258.17 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ●HIGHPOWERP1dB=36.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ●HIGHGAING1dB=5.5dBat13.75GHzto14.5GHz ●BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ●HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-4LA	文件：88.73 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWERTP1dB=36.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=6.5dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHED ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-5-252	文件：116.96 Kbytes Page：4 Pages	POWER GAAS FET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM1414-5L	文件：196.24 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES HIGHPOWER P1dB=37.5dBmat14.0GHzto14.5GHz HIGHGAIN G1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
TIM
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 10GHZ,60W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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