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TIM1414-15L	文件：483.2 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 30.0dBm Single Carrier Level ■ HIGH POWER P1dB=42.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ■ HIGH GAIN G1dB=6.0 dB at 14.0 GHz to 14.5GHz ■ BROADBANDINTERNALLY MATCHEDFET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：483.2 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-18L	文件：138.76 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ● HIGH POWER P1dB=42.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ● HIGH GAIN G1dB=6.0dB at 14.0GHz to 14.5GHz ● BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ● HERMETICALLY SEALED PACKAGE ● LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)=−25dBc at Po=36dBm Single Carrier Level 文件：138.76 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-18L-252	文件：43.17 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■ HIGH POWER P1dB=42.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ■ HIGH GAIN G1dB=6.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)=−25dBc at Po=36dBm Single Carrier Level 文件：43.17 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-2-252	文件：251.67 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=33.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz FEATURES ● HIGH POWER P1dB=33.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz ● HIGH GAIN G1dB=6.0 dB at 13.75 GHz to 14.5 GHz ● BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ● HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：251.67 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-2L	文件：163.68 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■ HIGH POWER P1dB=33.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ■ HIGH GAIN G1dB=6.5dB at 14.0GHz to 14.5GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：163.68 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-30L	文件：49.16 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES HIGH POWER P1dB=45.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz HIGH GAIN G1dB=5.5dB at 14.0GHz to 14.5GHz LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.) 文件：49.16 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-4-252	文件：258.17 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ● HIGH POWER P1dB=36.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz ● HIGH GAIN G1dB=5.5 dB at 13.75 GHz to 14.5 GHz ● BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ● HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：258.17 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-4LA	文件：88.73 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■ HIGH POWERT P1dB=36.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ■ HIGH GAIN G1dB=6.5dB at 14.0GHz to 14.5GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：88.73 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-5-252	文件：116.96 Kbytes Page：4 Pages	POWER GAAS FET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：116.96 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-5L	文件：196.24 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES HIGH POWER P1dB=37.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz HIGH GAIN G1dB=6.0dB at 14.0GHz to 14.5GHz BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：196.24 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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技术参数

Output Current：
234 mA
Power Rating：
3.5 W
Number of Outputs：
single
Input Voltage：
9-18 VDC
Housing Type：
Plastic Case
Mounting Type：
PCB Mount
Connection Type：
SMD (Surface-Mount Device)
Footprint Type：
SMD16
Length：
24.3 mm
Width：
18.1 mm
Depth：
10.5 mm
Efficiency：
82 %
Maximum Temperature：
90 °C
Minimum Temperature：
-40 °C
Weight：
7 g
Ripple and Noise：
50 mVp-p typ.
Capacitive Load：
330 µF
Remote On/Off：
Yes
Safety Approvals：
EN 62368-1
Insulation System：
Reinforced Insulation
I/O Isolation Voltage：
5000 VAC

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更多TIM供应商更新时间2025-11-26 9:00:00

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