MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 42.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz ･HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -42dBc(Min.) at Pout= 30dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE

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TOSHIBA

东芝

TOSHIBA
TO-59

TOSHIBA

东芝

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AT
SOP8

AT

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ON
TO-220

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ST
T0220-3

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