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TIM1314-15UL

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ・HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ・HIGHGAIN G1dB=7.0dBat13.75GHzto14.5GHz ・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-42dBc(Min.)atPout=30dBm(SingleCarrierLevel) ・HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多TIM1314-15UL供应商 更新时间2025-5-29 18:02:00