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SUP60N10-18P | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.58 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
SUP60N10-18P | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：115.09 Kbytes 页数：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
SUP60N10-18P | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | Vishay 威世科技 | Vishay | |
VISHAY | Vishay | |||
VISHAY | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUP60N10-18P
- 功能描述：
MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-10-8 15:52:00
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