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SUP85N08-08 | N-Channel 75-V (D-S) 175C MOSFET N-Channel75-V(D-S)175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
SUP85N08-08 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
SUP85N08-08 | N-Channel 75-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel75-V(D-S)175DegreeCelciousMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号:
SUP85N08-08
- 功能描述:
MOSFET 75V 85A 250W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220 |
19567 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
V |
24+ |
TO-220AB |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
3198 |
询价 |
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