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SUP60N10-18P中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SUP60N10-18P
- 功能描述:
MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220 |
19567 |
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VISHAY |
TO-220 |
699839 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
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VISHAY |
24+ |
TO-220铁头 |
11000 |
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N/A |
10000 |
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VISHAY |
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TO220 |
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Vishay |
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TOTO-220AB |
33500 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
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VISHAY/威世 |
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TO220AB |
25000 |
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