选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
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VishayTO-220 |
6200 |
17+ |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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SILICONIXTO-220AB |
6230 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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SINA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世AXIAL |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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SUP75N08-10-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SUP75N08-10-E3功能描述:MOSFET 75V 75A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube