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SUP85N10-10	文件：65.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature 文件：65.09 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10	文件：104.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 文件：104.42 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10	文件：77.28 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：77.28 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10	文件：304.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：304.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP85N10-10-E3	文件：123.62 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature 文件：123.62 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10P	文件：123.62 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature 文件：123.62 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10_06	文件：104.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 文件：104.42 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10-E3	文件：77.28 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：77.28 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUP85N10-10-GE3	文件：976.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：976.08 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUP85N10-10-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SUP85N10-10
功能描述：
MOSFET 100V 85A 250W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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