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SUP60N10-18P数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号:
SUP60N10-18P
- 功能描述:
MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO220AB |
25000 |
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询价 | ||
VISHAY |
21+ |
TO-220 |
299 |
原装现货假一赔十 |
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VISHAY |
24+ |
TO-220铁头 |
11000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SMD |
9600 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO 220 |
11200 |
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达高TECCOR |
23+ |
TO-220 |
69820 |
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VISHAY/威世 |
2447 |
TO-220 |
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VISHAY |
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TO-220 |
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VISHAY |
23+ |
TO220 |
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VISHAY |
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TO220 |
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