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SUP60N10-18P-E3

VISHAY
TOTO-220AB

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威世科技威世科技半导体

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TOTO-220AB

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Vishay Siliconix
TO-220-3

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威世科技威世科技半导体

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SUP60N10-18P-E3

Vishay Siliconix
TO-220-3

NI

National Instruments Inc.

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详细参数

  • 型号:

    SUP60N10-18P-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUP60N10-18P-E3供应商 更新时间2025-5-22 17:45:00