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SUP85N03-3M6P-GE3	文件：101.25 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SUP85N03-3M6P-GE3

文件：101.25 Kbytes

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SUP85N03-3M6P-GE3

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SUP85N03-3M6P-GE3
功能描述：
MOSFET 30 Volts 85 Amps 78.1 Watts
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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