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SUP85N03-04P	文件：373.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：373.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP85N03-04P	文件：57.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET 文件：57.32 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SUP85N03-04P-E3	文件：963.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：963.63 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUV85N03-04P	文件：44.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET 文件：44.57 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
SUP85N03-04P
功能描述：
MOSFET 30V 85A 166W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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