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SUP75N06-08 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
SUP75N06-08 | N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
SUP75N06-08 | N-Channel Enhancement-Mode Transistors | Temic TEMIC Semiconductors | Temic | |
SUP75N06-08 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelEnhancement-ModeTransistors | Temic TEMIC Semiconductors | Temic | ||
N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUP75N06-08
- 功能描述：
MOSFET 60V 75A 250W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
7548 |
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VISHAY/威世 |
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TO-220 |
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Vishay(威世) |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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