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SUP75N08-10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:333.06 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUP75N08-10

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

文件:973.53 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUP75N08-10

N-Channel 75-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET

文件:59.66 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SUB75N08-10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:306.15 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUB75N08-10

N-Channel 75-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET

文件:59.66 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

详细参数

  • 型号:

    SUP75N08-10

  • 功能描述:

    MOSFET 75V 75A 187W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUP75N08-10供应商 更新时间2025-10-12 16:01:00