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SUP75P03-07

P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:115.13 Kbytes 页数:6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUP75P03-07

P-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

文件:63.79 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUP75P03-07-E3

P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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VishayVishay Siliconix

威世科技

SUP75P03-07-E3

MOS(场效应管)

Vishay

威世科技

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    3V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    7 mΩ @ 30A,10V

  • 类型:

    P 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    3.75W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay(威世)
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更多SUP75P03-07供应商 更新时间2025-10-5 23:00:00