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STU35N10	文件：121.83 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
35N10	文件：982.74 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
35N10	文件：49.94 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HMS35N10K	文件：1.0282 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ME35N10	文件：984.26 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFH35N10	文件：217.02 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
RFH35N10	文件：86.22 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFK35N10	文件：82.9 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFK35N10	文件：220.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORS,N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SPB35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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