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STU4A60	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率器件-双向可控硅	Winsemi 稳先微电子	Winsemi
STU4A60H	文件：278.18 Kbytes Page：5 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor 文件：278.18 Kbytes 页数：5 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STU4A60S	文件：483.57 Kbytes Page：5 Pages	Sensitive Gate Triac 文件：483.57 Kbytes 页数：5 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STU4A60H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor	Winsemi 稳先微电子	Winsemi

技术参数

VDRM[V]：
600
IGTⅠ-Ⅲ[mA]：
5
IGTⅥ[mA]：
10
VGTⅠ-Ⅲ[V]：
1.5
VGTⅥ[V]：
2
IDRM[mA]：
0.5
VT[V]：
1.7
IH[mA]：
2
(dv/dt)C[V/US]：
3
Package：
TO-251

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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