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STU5N95K5	文件：1.19706 Mbytes Page：26 Pages	Ultra-low gate charge Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU5N95K5	文件：317.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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