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STS2307	文件：591.98 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：591.98 Kbytes 页数：7 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STS2307	文件：471.4 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：471.4 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STS2307	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop
STS2307A	文件：471.5 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：471.5 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STS2307A	文件：718.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● SOT-23 package. 文件：718.36 Kbytes 页数：7 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STS2307A	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor	Samhop 三合微科	Samhop

更多STS2307供应商更新时间2025-12-1 16:00:00