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STS6P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，SO-8封装 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STS6P3LLH6	文件：718.03 Kbytes Page：15 Pages	High avalanche ruggedness 文件：718.03 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL6P3LLH6	文件：578.62 Kbytes Page：15 Pages	Very low on-resistance 文件：578.62 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STS8DNF3LL	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST SOP8	ST 上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ST

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更多STS6P3LLH6供应商更新时间2025-10-4 9:05:00