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STS5N15F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道150 V、0.057 Ohm、5 A SO-8 STripFET(TM) DeepGATE(TM) 功率MOSFET; • N-channel enhancement mode \n• Low gate charge \n• 100% avalanched rated \n• Very low on-resistance; This STripFET DeepGATE Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to minimize on-state resistance, with a new gate structure, providing superior switching performances.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STS5N15F4	文件：716.04 Kbytes Page：11 Pages	N-channel 150 V, 0.057廓, 5 A, SO-8 STripFET??DeepGATE??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STS5N15F4

文件：300 bytes

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N沟道150 V、0.057 Ohm、5 A SO-8 STripFET(TM) DeepGATE(TM) 功率MOSFET; • N-channel enhancement mode \n• Low gate charge \n• 100% avalanched rated \n• Very low on-resistance;

This STripFET DeepGATE Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to minimize on-state resistance, with a new gate structure, providing superior switching performances.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STS5N15F4

文件：716.04 Kbytes

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N-channel 150 V, 0.057廓, 5 A, SO-8 STripFET??DeepGATE??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STS5N15F4

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N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

技术参数

Package：
SO-8
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
150
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.063
Drain Current (Dc)_max(A)：
5
PTOT_max(W)：
2.5
Qg_typ(nC)：
48

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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