STS5N15F4中文资料N沟道150 V、0.057 Ohm、5 A SO-8 STripFET(TM) DeepGATE(TM) 功率MOSFET数据手册ST规格书
STS5N15F4规格书详情
描述 Description
This STripFET DeepGATE Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to minimize on-state resistance, with a new gate structure, providing superior switching performances.
特性 Features
• N-channel enhancement mode
• Low gate charge
• 100% avalanched rated
• Very low on-resistance
技术参数
- 制造商编号
：STS5N15F4
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：150
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.063
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：2.5
- Qg_typ(nC)
：48
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
SOP-8 |
9555 |
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ST(意法) |
24+ |
8-SOIC(0.154 |
13048 |
询价 | |||
ST |
10+ |
SOP8 |
15 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法 |
24+ |
SOP-8 |
2500 |
原装有单必成可美金交易 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
SOIC-8 |
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ST/意法半导体 |
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24+ |
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ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
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